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Guias e Dicas
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Simulação MOSFET - Eletrônica Analógica, Esquemas de Eletrônica Analógica

Simulador MultiSim - Funcionamento e comportamento de um MOSFET.

Tipologia: Esquemas

2021

Compartilhado em 23/05/2021

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Se mana 10 a 14/05/2021
Relatório Simulador MOSFET
Conforme o problema proposto em aula elaborar um pequeno texto explicando
o funcionamento vamos começar pelo circuito projetado com variação do capacitor,
como ilustrado na figura.1 abaixo.
Figura 1
Curiosamente, ao observar a simulação, a lâmpada continua acesa porque o
capacitor ainda está com suficiente e mantem o circuito energizado até a lâmpada.
Também pode-se observar que o nosso MOSFET do circuito, um IRF540, tem a
característica de Enriquecimento de tensão. Apesar de a lâmpada do nosso circuito ter a
mesma tensão que a fonte VCC a tensão que chega ao Gate, Porta, do MOS é 7,76V,
como mostra a figura.2 a seguir.
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Semana – 10 a 14 / 05 /

Relatório Simulador MOSFET

Conforme o problema proposto em aula – “ elaborar um pequeno texto explicando o funcionamento ” – vamos começar pelo circuito projetado com variação do capacitor, como ilustrado na figura.1 abaixo. Figura 1 Curiosamente, ao observar a simulação, a lâmpada continua acesa porque o capacitor ainda está com suficiente e mantem o circuito energizado até a lâmpada. Também pode-se observar que o nosso MOSFET do circuito, um IRF540, tem a característica de Enriquecimento de tensão. Apesar de a lâmpada do nosso circuito ter a mesma tensão que a fonte VCC a tensão que chega ao Gate, Porta, do MOS é ≈ 7,76V, como mostra a figura.2 a seguir.

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Figura 2 Como podemos perceber a configuração por divisor de tensão (PDT) e com as características dos resistores parte da tensão VCC é dissipada por eles. Um outro fator importante é o capacitor não polarizado servindo de fonte de tensão variável na porta do MOSFET; é importante por que sem ele o acendimento da nossa lâmpada se daria de forma instantânea, com um interruptor comum.

Fernando Fernandes

Laboratório de Eletrônica Linear II

Cleber Torres de Carvalho

Brasília-DF, 15 de maio de 2021