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Guias e Dicas
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Exercício eletrônica analógica, Exercícios de Eletrônica Analógica

Exercício eletrônica analógica

Tipologia: Exercícios

2023

Compartilhado em 22/06/2025

mateus-freitas-87
mateus-freitas-87 🇧🇷

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1. Quantas junções PN existem em um transistor?
a) 1
b) 2
c) 3
d) 4
Um transistor bipolar possui duas junções PN. Em um transistor, essas junções
são formadas entre a região do emissor e a base, e entre a região do coletor e a
base. Os transistores podem ser construídos com dois arranjos: NPN (onde duas
regiões N são separadas por uma região P) e PNP (onde duas regiões P são
separadas por uma região N). Em ambos os tipos de transistores, as duas
junções PN são essenciais para o seu funcionamento como amplificador ou
interruptor.
2. Num transistor npn, os portadores majoritários no emissor são?
a) Elétrons livres
b) Lacunas
c) Nenhuma das respostas acima
d) As duas respostas
Em um transistor NPN, os portadores majoritários no emissor são elétrons. Isso
ocorre porque o emissor em um transistor NPN é feito de material semicondutor
tipo n, que possui uma concentração muito maior de elétrons livres do que
lacunas (buracos).
3. A barreira de potencial de cada camada de depleção de silício é?
a) 0
b) 0,3 V
c) 0,7 V
d) 1 V
A barreira de potencial de uma camada de depleção em um diodo de silício
é tipicamente de aproximadamente 0,7 volts. Essa tensão, também chamada de
tensão de limiar ou potencial de barreira, representa a diferença de potencial que
impede o fluxo de corrente através do diodo na ausência de polarização direta.
4. o diodo emissor em geral:
a) É diretamente polarizado.
b) É reversamente polarizado.
c) É não condutor.
d) Opera na região de ruptura.
Diodos emissores de luz (LEDs) funcionam corretamente quando polarizados
diretamente, ou seja, quando o terminal positivo da fonte de energia é conectado
ao ânodo e o terminal negativo ao cátodo.
5. Para uma operação normal do transistor o diodo coletor deve?
a) Ser diretamente polarizado
b) Ser reversamente polarizado
c) Ser não condutor
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  1. Quantas junções PN existem em um transistor? a) 1 b) 2 c) 3 d) 4 Um transistor bipolar possui duas junções PN. Em um transistor, essas junções são formadas entre a região do emissor e a base, e entre a região do coletor e a base. Os transistores podem ser construídos com dois arranjos: NPN (onde duas regiões N são separadas por uma região P) e PNP (onde duas regiões P são separadas por uma região N). Em ambos os tipos de transistores, as duas junções PN são essenciais para o seu funcionamento como amplificador ou interruptor.
  2. Num transistor npn, os portadores majoritários no emissor são? a) Elétrons livres b) Lacunas c) Nenhuma das respostas acima d) As duas respostas Em um transistor NPN, os portadores majoritários no emissor são elétrons. Isso ocorre porque o emissor em um transistor NPN é feito de material semicondutor tipo n, que possui uma concentração muito maior de elétrons livres do que lacunas (buracos).
  3. A barreira de potencial de cada camada de depleção de silício é? a) 0 b) 0,3 V c) 0,7 V d) 1 V A barreira de potencial de uma camada de depleção em um diodo de silício é tipicamente de aproximadamente 0,7 volts. Essa tensão, também chamada de tensão de limiar ou potencial de barreira, representa a diferença de potencial que impede o fluxo de corrente através do diodo na ausência de polarização direta.
  4. o diodo emissor em geral: a) É diretamente polarizado. b) É reversamente polarizado. c) É não condutor. d) Opera na região de ruptura. Diodos emissores de luz (LEDs) funcionam corretamente quando polarizados diretamente, ou seja, quando o terminal positivo da fonte de energia é conectado ao ânodo e o terminal negativo ao cátodo.
  5. Para uma operação normal do transistor o diodo coletor deve? a) Ser diretamente polarizado b) Ser reversamente polarizado c) Ser não condutor

d) Operar na região de ruptura Para que um transistor bipolar funcione corretamente como amplificador, o diodo coletor (junção coletor-base) deve ser polarizado inversamente. Isso significa que o terminal do coletor deve ter uma tensão mais alta que o terminal da base.

  1. A base de um transistor npn é estreita e a) Fortemente dopada b) Levemente dopada c) Metálica d) Dopada com um material A base de um transistor NPN é estreita e levemente dopada. Essa característica permite que a corrente de base controle a corrente entre o coletor e o emissor. A espessura reduzida da base e sua dopagem leve fazem com que a maioria dos elétrons injetados do emissor atravesse a base em direção ao coletor, em vez de se recombinar com lacunas na base.
  2. A maioria dos elétrons na base de um transistor npn circula: a) Saindo do terminal externo da base b) Entrando pelo coletor c) Entrando pelo emissor d) Entrando pela fonte de tensão da base A maioria dos elétrons em um transistor NPN circula entrando pelo emissor. Embora uma pequena corrente de base seja necessária para iniciar o processo, a maioria dos elétrons flui do emissor para o coletor, com a base atuando como controle.
  3. O beta de um transmissor é a razão da? a) Corrente do coletor para a corrente do emissor b) Corrente do coletor para a corrente da base c) Corrente da base para a corrente do coletor d) Corrente do emissor para a corrente do coletor O beta (β) de um transistor, também conhecido como ganho de corrente, é definido como a razão entre a corrente do coletor (Ic) e a corrente da base (Ib). Matematicamente, isso é expresso como: β = Ic / Ib.
  4. Aumentando-se a tensão de alimentação do coletor, aumentará? a) A corrente da base b) A corrente do coletor c) A corrente do emissor d) Nenhuma das respostas acima Aumentando-se a tensão de alimentação do coletor de um transistor, a corrente do coletor também aumentará, mantendo-se a corrente da base constante. Isso ocorre porque a tensão do coletor afeta a quantidade de corrente que pode fluir através do transistor, enquanto a corrente da base controla a quantidade de corrente que pode fluir do emissor para o coletor.

c) Maior que a alimentação de tensão da base d) Não podemos responder A tensão base-emissor (VBE) de um transistor bipolar (BJT) em condução (região ativa) é geralmente de:

  • ≈ 0,6 V a 0,7 V para transistores de silício
  • ≈ 0,2 V a 0,3 V para transistores de germânio (menos comuns hoje) Isso significa que VBE é menor que a tensão total fornecida à base (VBB), pois essa tensão sofre uma queda ao passar pelo diodo base-emissor.
  1. A tensão coletor-emissor geralmente é a) Menor que a tensão de alimentação do coletor b) Igual a tensão de alimentação do coletor c) Maior que a tensão de alimentação do coletor d) Não podemos responder A tensão coletor-emissor (VCE) de um transistor em região ativa normalmente é menor do que a tensão de alimentação aplicada ao coletor (geralmente chamada de VCC), porque parte dessa tensão é consumida na queda de potencial através da resistência de coletor e na própria junção coletor-emissor. Por exemplo, em um circuito comum:
  • VCC = 12 V
  • Após polarização correta, VCE pode ficar entre 0,2 V a 10 V, dependendo da corrente de coletor e da resistência.
  1. A potência dissipada por um transistor é aproximadamente igual a corrente do coletor multiplicada pela a) Tensão base-emissor b) Tensão coletor-emissor c) Tensão de alimentação da base d) 0,7V A potência dissipada por um transistor (PD) é dada por: PD≈VCE×IC Ou seja, a potência dissipada é aproximadamente igual à corrente do coletor multiplicada pela tensão coletor-emissor. Essa dissipação ocorre principalmente na forma de calor, e deve ser considerada no dimensionamento térmico do componente.
  2. Um transistor age como um diodo e uma a) Fonte de tensão b) Fonte de corrente c) Resistência d) Fonte de alimentação O transistor bipolar de junção (BJT), quando operando na região ativa, funciona como:
  • Um diodo entre base e emissor (com queda de ~0,6 a 0,7 V),
  • E como uma fonte de corrente controlada por corrente entre coletor e emissor.

Ou seja, a corrente do coletor (IC) é proporcional à corrente da base (IB), multiplicada pelo ganho β (beta): IC= β⋅IB Assim, o transistor age como uma fonte de corrente controlada por corrente.

  1. Na região ativa, a corrente do coletor não varia significativamente com a) A tensão de alimentação da base b) A corrente da base c) O ganho de corrente d) Resistência do coletor Na região ativa do transistor BJT, a corrente do coletor (IC) é principalmente determinada pela corrente da base (IB) e pelo ganho de corrente (β): IC=β⋅IB Nesse modo de operação, a resistência do coletor (RC) influencia a tensão coletor-emissor (VCE), mas não altera significativamente a corrente do coletor, desde que o transistor permaneça na região ativa e não entre em saturação.
  2. A tensão base-emissor para a segunda aproximação é de a) 0 b) 0,3V c) 0,7V d) 1V Na segunda aproximação para análise de transistores bipolares de junção (BJT) de silício, a tensão base-emissor (VBE) é considerada constante: VBE≈0,7 V Essa aproximação é uma forma mais realista que a primeira (que considera VBE= 0), e é amplamente utilizada em análises básicas de polarização e funcionamento.
  3. Se o resistor da base estiver aberto, qual será a corrente no coletor? a) 0 b) 1mA c) 2mA d) 10Ma Se o resistor da base estiver aberto, isso significa que nenhuma corrente poderá circular pela base do transistor (IB = 0). Como a corrente do coletor depende diretamente da corrente da base (na região ativa), teremos: IC=β⋅IB=β⋅0= Portanto, o transistor não conduz, e a corrente no coletor será zero.
  4. Não tem essa questão
  5. O ganho de corrente de um transistor é definido como a razão da corrente do coletor pela a) Corrente da base
  • A barreira de potencial da junção base-emissor diminui, facilitando a condução;
  • Como resultado, para uma mesma corrente de base (IB), a corrente do coletor (IC) aumenta, elevando o ganho β. No entanto, isso também pode levar a efeitos indesejáveis como fuga térmica, por isso o controle térmico é importante em projetos com BJTs.
  1. Quando o resistor da base diminui, a tensão do coletor provavelmente a) Diminuirá b) Permanecerá a mesma c) Aumentará d) Todas as respostas acima Quando o resistor da base (RB) diminui, ele permite maior corrente de base (IB), o que, em um transistor bipolar (BJT) na região ativa, gera um aumento da corrente de coletor (IC), pois: IC=β⋅IB Com maior IC, a queda de tensão no resistor de coletor (RC) aumenta, o que faz a tensão no coletor (VC) diminuir: VC=VCC−(RC⋅IC)