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Practica No.1 Electronica Analogica para Esime Culhuacan
Tipo: Ejercicios
Subido el 18/03/2025
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¡No te pierdas las partes importantes!
Fuente de alimentación variable Osciloscopio Multimetro Digital Resistencia Diodo de Silicio Protoboard
Se pueden usar diodos semiconductores para reemplazar a tubos al vacío (bulbos). Este dispositivo se fabrica con un material impurificado con exceso de cargas negativas, o electrones (tipo N), y un material con impurezas positivas (tipo P) lo que causa una diferencia de electrones. Los materiales de tipo P o N se producen impurificando químicamente un material semiconductor como el germanio o el silicio. En la unión PN (consulte la Fig. 1-1) se forma una región de vaciamiento de cargas conocida como barrera o colina de potencial; en ella los electrones en exceso se combinan con los huecos que se encuentran en la vecindad inmediata de la unión PN (pero no en todo el diodo) formando así la región de vaciamiento. Fig. 1- 1 Consulte la Fig. 1-1A, cuando se aplica una fuente de potencial negativo al material tipo N, el exceso de electrones repelidos de este material encontrará una trayectoria sin obstáculos a través de la unión PN (reduciendo la barrera de potencial), hacia el material tipo P y finalmente hacia la terminal de potencial más positivo de la fuente. Esta unión está polarizada directamente (baja resistencia a cd), de modo que fluirá la máxima corriente a través del diodo. Estudie la Fig. 1-1B, cuando se aplica una fuente de potencial positivo al material tipo N, los electrones se alejan de la unión PN en dirección de la terminal positiva de la fuente (aumentando la barrera de potencial). Las cargas positivas del material tipo P se mueven hacia la terminal negativa fuente. Los electrones no pueden fluir fácilmente a través del diodo, de la terminal negativa hacia la positiva de la fuente, debido a la acción interna en el material PN y la mayor barrera de potencial. Esta unión está polarizada inversamente (alta resistencia a cd) y fluirá muy poca o ninguna corriente a través del diodo. Examine la Fig. 1-2, en ella se ilustra el símbolo esquemático, los tipos de material y las polaridades de la tensión de polarización de un diodo semiconductor típico. En la DIODOS RECTIFICADORES PRÁCTICA NO. 1 14 condición de polarización directa, los electrones fluyen siempre en dirección opuesta a la indicada por la flecha del símbolo esquemático del diodo.
∙ Fuente de voltaje de 5.0 Vcd. ∙ Fuente de voltaje de 0 a 30 Vcd. ∙ Fuentes de voltaje de 6.0 Vca. o utilizar el generador de funciones ajustado a esta misma tensión con una frecuencia de 60 Hz. ∙ Multímetro (Amperímetro, Voltímetro y Ohmetro.) ∙ Osciloscopio ∙ DR 1 – Diodo de silicio 1N4001 o 1N4002 o 1N4003. ∙ R 1 – 270 ohms, 2W ∙ R 2 – 1 K ohms, ½ W ∙ P1 – Potenciómetro 1 K ohm (NO UTILIZAR un potenciómetro tipo PRESET) ∙ Protoboard ∙ Fusibles de repuesto para Amperímetro Tipo Europeo de 0.250 Amp. (Nota: Un valor mas elevado en las características del fusible no será aceptado ya que puede dañar el instrumento)
Fig. 1- 4
alimentación de de 0 a 20 Volts como lo indica la figura 1-4 b. Aumente la tensión de la fuente a 20 volts. ¿Cuál es la magnitud de la corriente cuando se polariza inversamente al diodo? IR = …………………………………………………………………….mA Explique:………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………..…… ……………………………………………………………………………………..… ………………………………………………………………………………………. Vuelva la tensión de la fuente a cero.