Download nifjdjdjdjjfjrnrnr rjrjfjjfnrdbdhf dudhdhdhsbd dhdbdbd and more Thesis Electronics in PDF only on Docsity!
1. PENGERTIAN SCR
Silicon Controlled Rectifier atau sering disingkat dengan SCR adalah Dioda yang memiliki
fungsi sebagai pengendali. Silicon Controlled Rectifier ( SCR ) adalah salah satu komponen
yang mirip dengan transistor karena memiliki tiga buah kaki. Tapi kaki pada SCR tidak sama
dengan kaki yang terdapat pada transistor. Kaki Terminal ke-3 pada SCR tersebut dinamai
dengan Terminal “Gate” atau “Gerbang” yang berfungsi sebagai pengendali (Control),
sedangkan kaki lainnya sama seperti Dioda pada umumnya yaitu Terminal “Anoda” dan
Terminal “Katoda”. Jadi jelaslah bahwa fungsi SCR ini beda dengan transistor. Silicon
Controlled Rectifier (SCR) merupakan salah satu dari anggota kelompok komponen
Thyristor.
Silicon Controlled Rectifier (SCR) atau Thrystor pertama kali diperkenalkan secara komersial
pada tahun 1956. SCR memiliki kemampuan untuk mengendalikan Tegangan dan daya
yang relatif tinggi dalam suatu perangkat kecil. SCR ini memiliki berbagai macam daya dan
kekuatan, misalnya saja SCR yang memiliki daya dan kekuatan sebesar 100 V / 2A. Ini
berartii SCR tersebut hanya bisa dipakai tidak lebih dari 2 Ampere atau sama dengan tak
lebih dari 200 Watt. Oleh karena itu SCR atau Thyristor sering difungsikan sebagai Saklar
(Switch) ataupun Pengendali (Controller) dalam Rangkaian Elektronika yang menggunakan
Tegangan / Arus menengah-tinggi (Medium-High Power). Beberapa aplikasi SCR di
rangkaian elektronika diantaranya seperi rangkaian Lampu Dimmer, rangkaian Logika,
rangkaian osilator, rangkaian chopper, rangkaian pengendali kecepatan motor, rangkaian
inverter, rangkaian timer dan lain sebagainya.
Dengan karakteristik yang serupa tabung thiratron, maka SCR atau Tyristor (Therystor) masih
termasuk keluarga semikonduktor. Terminal “Gate” yang berfungsi sebagai pengendali
terletak di lapisan bahan tipe-P yang berdekatan dengan Kaki Terminal “Katoda”. Sebetulnya
SCR terbuat dari bahan campuran P dan N. Pada dasarnya SCR atau Thyristor terdiri dari 4
A. SCR (SILICON
CONTROL
RECTIFIER )
lapis Semikonduktor yaitu PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) atau sering disebut dengan
PNPN Trioda. Cara kerja sebuah SCR hampir sama dengan sambungan dua buah bipolar
transistor (bipolar junction transistor).
2. KARAKTERISTIK SCR
1 ) S e b u a h S C R t e r d i r i d a r i t i g a t e r m i n a l y a i t u a n o d a , k a t o d a , d a n
g a t e. S C R berbeda dengan dioda rectifier biasanya. SCR dibuat dari empat buah
lapis dioda. SCR banyak digunakan pada suatu sirkuit elekronika karena
lebih efisien dibandingkan komponen lainnya terutama pada pemakaian
saklar elektronik
2 ) S C R b i a s a n y a d i g u n a k a n u n t u k m e n g o n t r o l k h u s u s n y a p a d a
t e g a n g a n t i n g g i k a r e n a S C R d a p a t d i l e w a t k a n t e g a n g a n d a r i 0
s a m p a i 2 2 0 V o l t t e r g a n t u n g p a d a s p e s i f i k d a n t i p e d a r i S C R
t e r s e b u t. S C R t i d a k a k a n m e n g h a n t a r a t a u o n , m e s k i p u n d i b e r i k a n
t e g a n g a n m a j u s a m p a i p a d a t e g a n g a n b r e a k o v e r n y a S C R
t e r s e b u t d i c a p a i ( V B R F ). S C R a k a n m e n g h a n t a r j i k a p a d a
t e r m i n a l g a t e d i b e r i p e m i c u a n y a n g b e r u p a a r u s dengan tegangan
positip dan SCR akan tetap on bila arus yang mengalir pada SCR lebih besar
dari arus yang penahan (IH).
3 ) S a t u - s a t u n y a c a r a u n t u k m e m b u k a ( m e n g - o f f - k a n ) S C R
a d a l a h d e n g a n m e n g u r a n g i a r u s T r i g e r ( I T ) d i b a w a h a r u s
p e n a h a n ( I H ). S C R a d a l a h t h y r i s t o r y a n g u n i
d i r e c t i o n a l , k a r e n a k e t i k a t e r k o n d u k s i h a n y a b i s a melewatkan
arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Artinya, S C R a k t i f
k e t i k a g a t e - n y a d i b e r i p o l a r i t a s p o s i t i f d a n a n t a r a a n o d a d a n
katodanya dibias maju. Dan ketika sumber yang masuk pada SCR adalah
sumber AC, proses penyearahan akan berhenti saat siklus negatif terjadi
3. SIMBOL SCR
6. PRINSIP KERJA SCR
Pada prinsipnya, cara kerja SCR sama seperti dioda normal, namun SCR memerlukan
tegangan positif pada kaki “Gate (Gerbang)” untuk dapat mengaktifkannya. Pada saat kaki
Gate diberikan tegangan positif sebagai pemicu (trigger), SCR akan menghantarkan arus
listrik dari Anoda (A) ke Katoda (K). Sekali SCR mencapai keadaan “ON” maka selamanya
akan ON meskipun tegangan positif yang berfungsi sebagai pemicu (trigger) tersebut
dilepaskan. Untuk membuat SCR menjadi kondisi “OFF”, arus maju Anoda-Katoda harus
diturunkan hingga berada pada titik Ih (Holding Current) SCR. Besarnya arus Holding atau Ih
sebuah SCR dapat dilihat dari datasheet SCR itu sendiri. Karena masing-masing jenis SCR
memiliki arus Holding yang berbeda-beda. Namun, pada dasarnya untuk mengembalikan
SCR ke kondisi “OFF”, kita hanya perlu menurunkan tegangan maju Anoda-Katoda ke titik
Nol.
7. JENIS – JENIS SCR
Dalam prakteknya, dikenal berbagai piranti pnpn yang serupa dengan SCR. Berikut ini adalah
penjelasan dari berbagai jenis SCR tersebut.
a. LASCR ( light-activated SCR)
LASCR atau SCR aktivasi-cahaya ditunjukkan pada gambar diatas ini. Tanda - tanda panah
menunjukkan cahaya datang yang akan menembus jendela piranti dan mengenai lapisan-lapisan
pengosongan transistor. Bila cahaya itu cukup kuat, elektron-elektron valensi akan dilepaskan
dari orbit-orbitnya menjadi elektron-elektron bebas. Ketika elektron-elektron ini mengalir
keluar dari kolektor dan memasuki basis transistor, maka proses regenerasi akan
berlangsung sampai LASCR menjadi tertutup atau menyambung. Setelah LASCR ditutup oleh suatu
picu cahaya, keadaan ini akan bertahan terus walaupun tidak mendapat masukan cahaya
selanjutnya. Untuk memberi sensitivitas maksimum terhadap cahaya, gerbang SCR dibiarkan
Rangkaian SCR
terbuka seperti ditunjukkan oleh. Jika dikehendaki tingkat alih (tingkat acuan) yang dapat diubah-
ubah, maka rangkaian pengatur dapat ditambahkan seperti diperlihatkan pada Gambar.
Hambatan gerbang akan mengalihkan sebagian dari elektron elektron yang dihasilkan oleh cahaya masuk
dan dengan demikian mengubah kepekaan rangkaian terhadap cahaya yang masuk.
b. GCS ( gate-controlled switch)
Seperti yang telah diketahui, pemutusan arus rendah merupakan cara yang normal
untuk membuka saklar SCR. Namun saklar kendali gerbang (GCS) adalah saklar yang
dirancang untuk dibuka secara mudah dengan picu prategangan balik. Untuk GCS penutupan
dilakukan dengan picu positif dan pembukaan dilakukan picu dengan negatif (atau
dengan pemutusan arus rendah). Rangkaian GCS diberikan pada Gambar. Setiap picu positif akan
menutup saklar tersebut dan setiap picu negatif akan membukanya. Sebagai akibatnya
akan diperoleh keluaran gelombang persegi seperti terlihat dalam gambar. Piranti GCS digunakan dalam
rangkaian-rangkaian pencacah , rangkaian-rangkaian digital , dan penerapan - penerapan lain yang
menyediakan picu negatif untuk penghentian operasi.
c. SCS ( silikon-controlled switch)
Keterangan :
(a) Susunannya
(b) Susunan ekivalen
(c) Rangkaian ekivalen
(d) Lambang rangkaian
Daerah - daerah pengandung tak - murnian dari suatu saklar kendali silikon (SCS)
diperlihatkan pada Gambar , Masing-masing daerah tersebut dihubungkan dengan penyalur
(b) (c) (d) (a)
Crowbar pada Gambar 4.2.9 merupakan sebuah prototipe, sebuahrangkaian dasar yang dapat dimodifikasi
dan dikembangkan. Prototipe ini tepat bagi banyak aplikasi. Akan tetapi tidak memiliki soft turn-on karena
sudut pada zener berbentuk melengkung dan tidak bersudut tajam. Ketika kita melakukan perhitungan
toleransi tegangan zener , soft turn-on tersebut dapat mengakibatkan tegangan daya menjadi sangat
berbahaya sebelum SCR terbakar.
Salah satu cara untuk mengatasi soft turn-on adalah dengan menambahkan sedikit
perolehan tegangan seperti Gambar 4.2.10. Umumnya, transistor dalam keadaan mati.
Namun ketika tegangan keluaran meningkat, transistor akhirnya menyala dan
menghasilkan tegangan tegangan tinggi diluar R4. Karena transistor menyediakan
perolehan tegangan swamped kira-kira R 4 / R3, sedikit kelebihan tegangan dapat
menggerakkan SCR.
Gambar 4.2.10 Penambahan perolehan transistor ke crowbar
Dioda yang digunakan akan mengkompensasikan temperature dioda emitter dasar transistor. Penyesuaian
pelatuk ini menyebabkan kita mengatur trip point dari rangkaian tersebut, yang secara tipikal berada 10
sampai 15 persen di atas tegangan normal.
Gambar 4.2.11 Penambahan amplifier IC ke crowbar
Crowbar dapat ditambah dengan amplifier IC seperti Gambar 4.2.11. Kotak segitiga merupakan sebuah IC
penguat yang disebut dengan pembanding ( comparator ). Penguat ini memiliki masukan nonpembalik(+)
dan inverting (-). Saat masukan nonpembalik lebih besar dari masukan pembalik , maka keluaran akan
positif. Ketika masukan pembalik lebih besar daripada masukan nonpembalik, maka keluarannya akan
menjadi negatif.
Penguat memiliki perolehan tegangan yang cukup besar, biasanya 100.000 kali atau lebih. Karena
perolehan tegangan yang besar ini, rangkaian dapat mendeteksi kelebihan tegangan yang paling kecil.
Dioda zener
menghasilkan tegangan 10 V, yang diberikan ke masukan minus dari penguat.
Ketika tegangan catu 20 V (keluaran normal), penala pemicu diset untuk menghasilkan tegangan sedikit
lebih kecil daripada 10 V pada masukan positif. Karena masukan negatif lebih besar daripada masukan
positif, keluaran penguat akan negative dan SCR terbuka.
Apabila tegangan catu di atas 20 V, masukan positif pada penguat menjadi lebih besar daripada 10 V.
Kemudian, keluaran penguat menjadi positif dan SCR tersulut. Hal ini secara cepat akan memutus catu
dengan crowbar terminal beban.
8. APLIKASI SCR
1) Scr Sebagai Saklar Pengaman Elektronik
SCR sebagai saklar dapat dipergunakan sebagai proteksi arus yang mengalir ke
beban baik berupa lampu maupun motor listrik. Pengaturan ini dapat dilakukan
dengan memanfaatkan rangkaian umpan balik (feed back) yang menghubungkan
keluaran SCR ke gate SCR. Beban maksimum yang dapat ditanggung SCR
tergantung pada karakteristik dari SCR tersebut serta penyulutan yang dilakukan
pada gate SCR.
Umpan balik tersebut tidak dapat langsung dihubungkan dengan gate SCR karena
tegangan keluaran yang dihasilkan keluaran SCR terlampau besar untuk menyulut
gate SCR, sehingga perlu tambahan rangkaian agar SCR tidak rusak. Gambar
rangkaian di bawah ini merupakan pemakaian atau penggunaan komponen SCR
sebagai proteksi khususnya proteksi terhadap arus lebih.
Sumber tegangan pada rangkaian terebut di atas langsung berasal dari jala-jala
PLN 220 Volt, yang langsung disambung seri dengan beban lampu dan SCR.
Selanjutnya untuk rangkaian pengendali diperlukan penyearah tegangan sistem
jembatan (bridge diode) yaitu D 1
- D
4
. Rangkaian pengendali SCR terdiri dari dua
buah transistor yaitu Q 1
dan Q 2
. Apabila beban yang ditanggung SCR terlampau
besar, rangkaian pengendali bekerja dan SCR berada pada kondisi “OFF”. Besar
arus maksimum yang dapat ditanggung SCR dapat ubah-ubah dengan mengatur
potensiometer atau tahanan variabel (VR).
Gambar Rangkaian SCR Sebagai Saklar Pengaman Elektronik
Keburukan dari SCR adalah pematian ini. Pematian dari SCR hanya ada satu cara
yaitu mengurangi arus yang mengalir melalui ini disamping arus yang utama.
Kerugiannya adalah waktu penekanan tombol lebih lama dan selama penekanan
tombol dalam keadaaan tegangan yang tinggi dibangun dalam ini, dengan demikian
ini tidak bisa digunakan untuk penekanan tombol untuk arus yang besar.
B. UJT (UNI JUNCTION TRANSISTOR )
**
1. PENGERTIAN UJT
Uni Junction Transistor (UJT) atau dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan Transistor
Sambungan Tunggal adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan
semikonduktor, UJT memiliki tiga terminal dan hanya memiliki satu sambungan. Pada
umumnya UJT digunakan sebagai Saklar Elektronik dan penghasil Isyarat Pulsa. Seperti
namanya, Uni Junction Transistor atau UJT juga digolongkan sebagai salah satu anggota dari
keluarga Transistor, namun berbeda dengan Transistor Bipolar pada umumnya, Uni Junction
Transistor atau UJT ini tidak memiliki Terminal/Elektroda Kolektor. UJT yang memiliki Tiga
Terminal ini terdiri dari 1 Terminal Emitor (E) dan 2 Terminal Basis (B1 dan B2). Oleh karena
itu, Transistor UJT ini sering disebut juga dengan Dioda Berbasis Ganda ( Double Base
Diode ).
2. STRUKTUR DASAR UJT
Struktur dasar Uni Junction Transistor atau UJT dapat dilihat pada gambar ini. Pada dasarnya
UJT terdiri dari semikonduktor jenis Silikon yang bertipe N yang didoping ringan dan sepotong
Silikon bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi (berat) di satu sisinya untuk
menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N Junction). Komponen ini dikenal dengan nama
“Dioda dua Basis”. Sambungan Tunggal inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT yaitu
Uni Junction Transistor. Di kedua ujung batang silikon yang bertipe N, terdapat dua kontak
Ohmik yang membentuk terminal B1 (Basis 1) dan (Basis 2). Daerah Semikonduktor yang
bertipe P menjadi Terminal Emitor (E) pada UJT tersebut.
Gambar menunjukkan susunan dasar UJT. Kira-kira ditengah batang silikon (material Type N)
terdapatlah meterial P ini akan bekerja sebagai emiter E, jadi terdapatlah junction PN pada batangan
tersebut
4. KURVA KARAKTERISTIK UJT
Pada prinsipnya karakteristik dari sebuah transistor sambungan tunggal (unijunction
transistor ) dapat dijelaskan secara sederhana melalui sebuah kurva seperti yang terlihat
pada gambar 7.5 di atas. Kurva tersebut merupakan kurva dari tegangan emiter (V E
) dan arus
emiter (I E
) pada sebuah transistor sambungan tunggal (unijunction transistor) serta dinyatakan
sebagai kurva UJT .Pada kurva UJT tersebut dapat kita lihat bahwa saat tidak ada tegangan
emiter V E
= 0 Volt maka dioda berkondisi prategangan balik (reverse bias).Dioda yang sedang
dalam kondisi prategangan balik (reverse bias) tersebut akanmengalirkan sebuah arus listrik
yang sangat kecil, yaitu arus jenuh balik reversesaturation current ) dan disimbolkan dengan
–I
EO
. Saat tegangan emiter V E
mulai dinaikan maka dioda (D) menjadi kurang berkondisi
prategangan balik (reverse bias) dan arus emiter I E
menjadi kurang bernilai negatif. Saat
tegangan emiter V E
menjadi cukup tinggi maka dioda (D) akan berubah kondisi menjadi
prategangan maju (forward bias). Dioda yang berkondisi prategangan maju(forward bias)
tersebut akan memasukan lubang-lubang (holes) ke dalam tahanan basis 1
(R
B
) sehingga
menyebabkan tahanan basis 1
(R
B
) tersebut akan memilikikelebihan lubang-lubang (holes) dan
akhirnya akan menurunkan nilai tahanan basis 1
(R
B
). Sebagai contoh, ketika I E
= 0 maka R B
5000 Ω dan ketika I E
= 50mA maka R B
= 40Ω. Kurva UJTtersebut memperlihatkan
bahwa tahanan basis 1
(R
B
) akan menurun di saat tegangan emiter (V E
) menurun dan arus
emiter (I E
) meningkat sehingga membuat tahanan basis 1
(R
B
) tersebut memiliki konduktivitas
yang tinggi. Perilaku menurunnya R B
akibat V E
dan I E
tersebut dinyatakan sebagai tahanan
negatif atau negative resistance.
Pada kurva UJT tersebut dapat kita perhatikan bahwa tegangan dan arus pada titik puncak
(peak point ) dari kurva tersebut adalah sama dengan tegangan puncak V P
(peak voltage) dan arus
puncak I P
(peak current ). Tegangan puncak V P
pada kurva tersebut merupakan tegangan emiter
V
E
yang membuat sebuah transisi dari daerah terputus (cutoff region) menuju daerah tahanan
negatif (negative resistance region), sedangkan arus puncak I P
pada kurva tersebut
merupakan arus minimum yang dibutuhkan untuk mengaktifkan transistor sambungan tunggal
(unijunction transisto).
Pada kurva UJT tersebut juga terlihat bahwa tegangan dan arus pada titik lembah (valley
point) dari kurva tersebut adalah sama dengan tegangan lembah V V
(valley voltage) dan arus
lembah I V
(valley current ). Tegangan lembah V V
pada kurva tersebut merupakan tegangan
emiter V E
yang membuat sebuah transisi dari daerah tahanan negatif (negative resistance
region) menuju daerah jenuh (saturation region). Pada daerah jenuh (saturation region)
tersebut tahanan basis 1
R
B
akan beroperasi layaknya sebuah tahanan positif (positive resistance),
yaitu peningkatan nilai tahanan pada R B
dan nilai arus pada I E
akan menyebabkan kenaikan
tegangan pada V E
. Pada kurva UJT tersebut juga terlihat tegangan V EB1(SAT)
yang merupakan
tegangan yang melintasi basis 1
(B
1
) dan emiter (E).
5. PRINSIP KERJA UJT
Saat Tegangan diantara Emitor (E) dan Basis 1 (B1) adalah Nol, UJT tidak menghantarkan
arus listrik, Semikonduktor batang yang bertipe N akan berfungsi sebagai penghambat
(memiliki resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang mengalir karena
bias terbalik (reverse bias).
Pada saat tegangan di Emitor (E) dan Basis 1 (B1) dinaikan secara bertahap, resistansi
diantara Emitor dan Basis 1 akan berkurang dan arus terbalik (reverse current) juga akan
berkurang. Ketika Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus listrik di Emitor
akan mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada Semikonduktor yang di doping berat bertipe P
mulai memasuki daerah semikonduktor tipe N dan bergabung kembali dengan Elektron yang
di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di doping ringan). Dengan demikian Uni Junction
Transistor atau UJT ini kemudian mulai menghantarkan arus listrik dari B2 ke B
6. PENGOPERASIAN UJT
Mula-mula pada C tidak ada muatan (Uc = 0). Tegangan ini adalah tegangan UE yang
diberikan kepada emitor. Maka antara emitor E dan basis B1 ada perlawanan yang tinggi,
sebab dikatakan ada potensial positip. Potensial pada katoda ini ditentukan oleh
perbandingan antara P2-RB-RA (yang ada didalam transistor) dan R. Tegangan di C (Uc)
naik dengan kecepatan yang ditentukan oleh konstanta waktu P1 dengan C. Maka tegangan
pada E menjadi positip. Jika tegangan Uc mencapai harga UpUJT (UE = Uc ³ Up) maka UJT
akan menghantar, dan turunlah perlawanan antara Emitor E dan Basis 1.Penurunan
perlawanan (tahanan) RE - B1 menghubung singkat C (kondensator membuang muatan).
Bila tegangan C (Uc = UE) turun hingga mencapai ± 2V, maka UJT menyumbat lagi (sakelar
S terbuka), pada kondisi ini C pun akan kembali mengisi muatan. Demikian kejadian ini terjadi
berulang- ulang
Bentuk tegangan pada kondensator dan Arus buang muatan(pengosongan)kondensator
membangkitkan tegangan denyut pada R. Perubahan tahanan pada basis 2 diatur dengan
potensiometer P2. P2 mengatur amplitudo gigi gergaji, sebab dengan P2 kita menetapkan
tingginya amplitudo Up, makin besar P2, makin tinggi pula tegangan katoda, sehingga
diperlukan tegangan UE yang lebih tinggi untuk menjadikan dioda menghantar. R berguna
untuk mengatasi arus pengosongan dari C supaya dioda tidak rusak. Besarnya frekuensi
ditentukan oleh konstanta waktu P1 - C dan juga oleh karakteristik UJT. Makin besar
P1,makin rendah pula frekuensinya. Selama C membuang muatan, maka arus yang lewat R
akan menimbulkan tegangan bentuk denyut (pulsa). Sirkuit UJT pernah terkenal pada
penggemar elektronika transistor sekitar tahun 1970-an dan awal 1980 karena UJT
memungkinkan pembuatan osilator sederhana yang dibuat hanya dengan satu peranti aktif.
Sekarang, karena IC menjadi lebih populer , osilator seperti IC pewaktu 555 lebih sering
digunakan. Selain penggunaan pada osilator relaksasi, salah satu penggunaan UJT dan PUT
yang paling penting adalah untuk menyulut tiristor (seperti SCR, TRIAC, dll). Faktanya,
Denyut tegangan selama C
membuang muatan
Rangkaian ujt sebagai oscilator
tegangan DC dapat digunakan untuk mengendalikan sirkuit UJT dan PUT karena waktu hidup
peranti meningkat sesuai dengan peningkatan tegangan kendali DC. Penggunaan ini penting
untuk pengendalia AC arus tinggi. Transistor Unijunction (UJT) biasanya digunakan untuk
membangkitkan sinyal trigger untuk SCR
8. PARAMETER TRANSISTOR SAMBUNGAN TUNGGAL
Pada dasarnya transistor sambungan tunggal ( unijunction transistor ) memiliki 8 (delapan)
parameter yang sebaiknya diketahui untuk mengoperasikantransistor sambungan tunggal
tersebut, yaitu:
1) Tegangan maksimum emiter (peak emitter voltage)
Pada dasarnya tegangan maksimum emiter atau yang disebut juga dengan peak emitter
voltage merupakan tegangan maksimum dari emiter sebelum transistor sambungan
tunggal (unijunction transistor) memasuki daerah tahanan negatif ( negative resistance
region ). Secara matematis tegangan maksimum emiter (peak emitter voltage ) tersebut
disimbolkan dengan V P
2) Arus maksimum emiter (peak emitter current)
Pada prinsipnya arus maksimum emiter atau yang disebut juga dengan peak emitter
current merupakan arus maksimum dari emiter sebelum transistor sambungan tunggal
(unijunction transistor) memasuki daerah tahanan negatif (negative resistance region).
Arus maksimum emiter (peak emitter current) tersebut juga dapat dipahami sebagai arus
minimum yang dibutuhkan oleh emiteruntuk mengaktifkan transistor sambungan tunggal
(unijunction transistor). S e c a r a matematis arus maksimum emiter (peak emitter
current) tersebut disimbolkan dengan I P
3) Tegangan lembah emiter (valley emitter voltage)
Pada prinsipnya tegangan lembah emiter atau yang disebut juga dengan valley emitter voltage
merupakan tegangan emiter pada titik lembah (valley point).Secara matematis tegangan
lembah emiter (valley emitter voltage) tersebut disimbolkan dengan V V
4) Arus lembah emiter (valley emitter current)
Pada prinsipnya arus lembah emiter atau yang disebut juga dengan valley emitter current
merupakan arus emiter pada titik lembah (valley point). Secara matematis a r u s
l e m b a h e m i t e r ( valley emitter current) tersebut disimbolkan dengan I V
5) Tegangan antar-basis (inter-base voltage)
Pada prinsipnya tegangan antar-basis atau yang disebut juga dengan inter - base voltage
merupakan tegangan di antara basis 1
(B
1
) dan basis 2
(B
2
). Secara matematis tegangan
antar-basis (inter - base voltage) tersebut disimbolkan dengan V BB
C. TRIAC (TRIODE FOR ALTERNATING CURRENT)
1. PENGERTIAN TRIAC
TRIAC, atau Triode for Alternating Current (Trioda untuk arus bolak-balik) adalah sebuah
komponen elektronik yang kira-kira ekivalen dengan dua SCR yang disambungkan
antiparalel dan kaki gerbangnya disambungkan bersama. Nama resmi untuk TRIAC adalah
Bidirectional Triode Thyristor. Ini menunjukkan sakelar dwiarah yang dapat mengalirkan arus
listrik ke kedua arah ketika dipicu (dihidupkan). Ini dapat disulut baik dengan tegangan positif
ataupun negatif pada elektrode gerbang. Sekali disulut, komponen ini akan terus menghantar
hingga arus yang mengalir lebih rendah dari arus genggamnya, misal pada akhir paruh siklus
dari arus bolak-balik. Hal tersebut membuat TRIAC sangat cocok untuk mengendalikan
kalang AC, memungkinkan pengendalian arus yang sangat tinggi dengan arus kendali yang
sangat rendah. Sebagai tambahan, memberikan pulsa sulut pada titik tertentu dalam siklus
AC memungkinkan pengendalian persentase arus yang mengalir melalui TRIAC
(pengendalian fase). Low-Current TRIAC dapat mengontak hingga kuat arus 1 ampere dan
mempunyai maksimal tegangan sampai beberapa ratus volt. Medium-Current TRIACS dapat
mengontak sampai kuat arus 40 ampere dan mempunyai maksimal tegangan hingga 1.
volt
Triac merupakan komponen semikonduktor yang tersusun atas diode empat lapis berstruktur
p-n-p-n dengan tiga p-n junction. Triac memiliki tiga buah elektrode, yaitu : gate , MT1, MT2.
Triac biasanya digunakan sebagai pengendali dua arah ( bi-directional ). Apabila kita akan
menggunakan triac dalam pembuatan perangkat atau sistem kontrol elektronik, ada beberapa
hal yang harus diketahui dalam memilih triac sebagai berikut
Hal-Hal Yang Perlu Diperhatikan Dalam Memilih Triac :
tegangan breakover maju dan mundur
arus maksimum ( IT maks )
arus genggam minimum ( Ih min )
tegangan dan arus picu gate yang diperlukan
kecepatan pensaklaran
tegangan maksimum dV/dt
tegangan blocking triac (VDRM)
Boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang uni-directional, karena ketika ON hanya bisa
melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Struktur TRIAC sebenarnya
adalah sama dengan dua buah SCR yang arahnya bolak-balik dan kedua gate-nya
disatukan.Simbol TRIAC ditunjukkan pada gambar-6. TRIAC biasa juga disebut thyristor bi-
directional ( Dua arah ).
T R I A C b e k e r j a m i r i p s e p e r t i S C R y a n g p a r a l e l b o l a k - b a l i k , s e h i n g g a
d a p a t m e l e w a t k a n a r u s d u a a r a h. S C R , T R I A C j u g a m e r u p a k a n p i r a n t i
t i g a terminal yang digunakan untuk pengaturan daya. Berbeda dengan SCR,
TRIAC dapat mengalirkan arus dalam dua arah. Rangkaian penyulut untuk TRIAC dapat pula
berupa R maupun RC. Untuk mendapatkan pengaturan yang simetris, maka digunakan DIAC.
